單溫區(qū)PE-CVD系統(tǒng)采用高性能射頻電源，等離子體更穩(wěn)定；滑軌式結(jié)構(gòu)能使整個反應(yīng)腔室都處于輝光產(chǎn)生區(qū)；可實現(xiàn)快速升溫和降溫功能；與傳統(tǒng)CVD相比較，生長溫度更低。

1500單溫區(qū)管式爐采用硅碳棒為加熱元件，額定溫度1500℃，溫度可達(dá)1450℃。采用宇電控溫儀表和S型熱電偶，可編程30段程序控溫，控溫精度±1℃。設(shè)備中包含一套316L不銹鋼快開法蘭，雙環(huán)密封技術(shù)，可應(yīng)用于CVD實驗、熒光粉制備、真空或氣氛下材料燒結(jié)、基片鍍膜等實驗環(huán)境。

實驗級單溫區(qū)立式管式爐 爐體表面溫度≤60℃，爐膛采用高純度氧化鋁微晶纖維高溫真空吸附成型。專為高等院校﹑科研院所的實驗室及工礦企業(yè)在可控多種氣氛及真空狀態(tài)下對金屬，非金屬及其它化合物進(jìn)行燒結(jié)﹑熔化﹑分析而研制的專用理想設(shè)備。

微型立式管式爐TFV-1200-30-220是一款小型開啟式立式管式爐，其爐管直徑為φ30/50mm可選，適合于對樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下吊燒和淬火。如果選用不同的配件與裝置搭配，其也可以當(dāng)作一款流化床立式管式爐來使用，可專門針對粉末表面沉積的CVD實驗。

實驗級三溫區(qū)管式爐采用了控制單元和爐膛一體化設(shè)計。整體雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)設(shè)計，使表面溫度保持在60℃以下。爐膛本身采用了高純氧化鋁微晶纖維高溫真空吸附成型，加熱元件為電阻絲。散熱系統(tǒng)采用雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，爐體表面溫度≤60℃。真空腔室采用石英管材質(zhì)，其貫穿整個爐體，爐管兩端選用不銹鋼法蘭密封，可在真空或氣氛環(huán)境下工作。加熱元件與爐管平行，均勻的分布在爐管外，有效地保證了溫場的均勻性。

微型回轉(zhuǎn)爐TFR-1200-30- 220是一款小型單溫區(qū)回轉(zhuǎn)爐，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，內(nèi)部通過電機驅(qū)動爐管轉(zhuǎn)動，轉(zhuǎn)速低，旋轉(zhuǎn)更平穩(wěn)。爐管采用異型石英管，內(nèi)部焊接有揚料板，可使粉體燒結(jié)更加充分和均勻。